【全天日程】IFWS2020:功率电子器件及封装技术分

发布时间:2020-11-28 06:56

  原标题:【全天日程】IFWS2020:功率电子器件及封装技术分会日程公布

  2020年11月23-25日,第十七届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2020)暨2020国际第三代半导体论坛(IFWS 2020)将在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办。南方科技大学与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。

  其中,功率电子器件及封装技术分会主题涵盖碳化硅/氮化镓电力电子器件的新结构与新工艺开发、碳化硅/氮化镓功率电子器件栅驱动设计、高效高速碳化硅/氮化镓功率模块设计与制造,碳化硅/氮化镓封装技术和碳化硅/氮化镓功率应用与可靠性等。分会将邀请国内外知名专家参加本次会议,呈现碳化硅/氮化镓功率电子器件及封装技术研究与应用的最新进展。

  浙江大学教授盛况与电子科技大学教授张波共同担任分会中方主席,美国弗吉尼亚大学教授、天津大学教授陆国权与加拿大多伦多大学教授吴伟东共同担任分会外方主席。中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员柏松、西安电子科技大学教授张进成、大连芯冠科技有限公司总经理梁辉南、西安交通大学教授王来利、中山大学教授刘扬等精英专家们担任分会委员。

  SiC和GaN作为第三代半导体材料的典型代表,也代表了功率电子器件的发展方向,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。

  本届分会上半场的氮化镓专场,美国康奈尔大学电气和计算机工程教授Huili Grace XING,南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱,北京卫星制造厂有限公司领域总师万成安,电子科技大学教授周琦,北京大学副教授王茂俊,华南师范大学教授王幸福,中山大学黎城朗等来自国内外高校、科研院所、企业的精英代表围绕着氮化镓功率器件及封装技术主题将带来精彩报告,分享前沿研究成果。

  本届分会下半场的碳化硅专场,日本丰田汽车公司功率半导体顾问、PDPlus LLC总裁、ISPSD2021大会主席Kimimori HAMADA,中电科五十五所教授级高工、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任柏松,厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院前院长邱宇峰,浙江大学特聘副研究员任娜,深圳第三代半导体研究院研究员杨安丽,重庆大学电气工程学院副教授曾正,华北电力大学副教授李学宝,贺利氏电子中国区研发总监张靖等来自国内外高校、科研院所、企业的精英代表围绕着碳化硅功率器件及封装技术主题将带来精彩报告,多角度分享前沿研究成果。

  紧扣国家十九届五中全会和“十四五”等前瞻利好政策,以“绿色健康芯机遇·协同创新芯动能

  长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究,包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用,2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。

  团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目,包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项,在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果,包括最早报道了碳化硅(SiC)功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块(600V~6000V/最高300A,SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET)、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V(不包括衬底0.36 mΩ?cm2,品质因子FOM达国际前列)SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。

  从1980年代起即致力于新型功率半导体技术研究,多次担任国际会议功率半导体分会主席,2010年成为国际功率半导体器件与功率集成电路学术会议(ISPSD)技术委员会(TPC)成员(全球功率半导体最高级别专业会议,张波教授是近年来首次进入该技术委员会的国内学者),2015年ISPSD大会副主席。目前带领电子科技大学功率集成技术实验室(PITEL)主攻功率半导体技术研究。

  电子科技大学功率集成技术实验室(PITEL)是“电子薄膜与集成器件国家重点实验室”和“电子科技大学集成电路研究中心”的重要组成部分。被国际同行誉为“全球功率半导体技术领域最大的学术研究团队”和“功率半导体领域研究最为全面的学术团队”。实验室瞄准国际一流,致力于功率半导体科学和技术研究,研究内容涵盖分立器件(从高性能功率二极管MCR、双极型功率晶体管、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS,从硅基到SiC和GaN)、可集成功率半导体器件(含硅基、SOI基和GaN基)和功率集成电路(含高低压工艺集成、高压功率集成电路、电源管理集成电路、数字辅助功率集成及面向系统芯片的低功耗集成电路等)。

  近年来,实验室共发表SCI收录论文300余篇。在电子器件领域顶级刊物《IEEE Electron Device Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》上共发表论文60余篇。继2012年在EDL上发表7篇论文,论文数位列全球前列以后,2015年在TED上发表8篇文章,论文数再次列全球前三(在固态功率与高压器件领域居全球第一)。

  实验室在功率半导体技术领域已申请中国发明专利800余项,与企业合作承担了国家高技术产业发展计划、四川省产业发展关键重大技术项目、江苏省产业化转化项目、广东省教育部产学研结合项目、粤港关键领域重点突破项目等产业化项目;面向市场研发出100余种产品;为企业开发出60V-600V功率MOS、600V-900V超结(SJ)MOS、IGBT、120V-700V BCD、高压SOI等生产平台,部分产品打破国外垄断、实现批量生产,已销售数亿只。

  1992年进入美国弗吉尼亚理工大学工作,曾获美国国家自然科学基金Career奖,2003年成为弗吉尼亚理工大学终身教授,美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统研究中心CPES骨干科学家。他已成功在功率半导体器件和模块中实现倒装焊、球栅阵列和旋涡阵列连接,双面冷却封装,平面化封装等专利技术。他是纳米银焊膏的专利发明人,曾获得美国R&D 100大奖。迄今他已先后在电子封装期刊及会议发表学术论文逾220篇,其中100余篇被SCI收录。授权美国发明专利4项,公开发明专利1项,授权中国发明专利6项,公开中国发明专利13项。

  多伦多大学电子与计算机工程系教授,其研究领域涵盖智能功率半导体器件及其制作工艺,他尤其擅长功率管理集成电路、集成电源开关和集成D类音频功率放大器的开发。

  1990年获得多伦多大学的博士学位后,吴教授加入德州仪器公司,开发适用于汽车应用的功率晶体管。1992年吴教授加入香港大学开始学术研究生涯。1993年,吴教授加入多伦多大学,组建了智能功率集成电路和半导体器件研究团队,他于1998年和2008年分别晋升为副教授和正教授,他拥有智能功率集成电路和射频领域CMOS技术研发与改进的丰富阅历。吴教授是多伦多纳米制造中心主任和多伦多大学开发获取研究中心主任。吴教授自2009年起担任IEEE电子器件快报的副主编。

  研究重点是III-V型氮化物,2-D晶体,氧化物半导体,最近研究多铁性材料,磁性和超导材料的开发:生长,电子和光电器件,尤其是材料性能与器件开发以及高性能器件之间的相互作用,包括RF / THz器件,隧道场效应晶体管,功率电子器件,DUV发射器和存储器。她曾获得AFOSR青年研究者奖,NSF职业奖和ISCS青年科学家奖。

  在第三代半导体领域承担了与华为/方正微电子等公司的横向课题,使得GaN功率器件在其公司的p-line生产,目前承担一项6寸硅基GaN功率器件产业化的广东省重大专项。在电子陶瓷领域创办南湾通信科技有限公司,成功吸引天使投资1500万用于量产介质滤波器。

  在集成电路工艺与器件方面,包括CMOS、新型超高密度存储器、GaN器件与系统集成(GaN HEMT) 、以及电子陶瓷方面发表学术论文近400篇,其中近180篇被SCI收录,总他引次数近5000次,H 影响因子为39。编辑2本书籍并撰写了4本专业书籍的章节。发表/被授予近20 项美国/欧洲专利以及30项以上国内专利。数十次做国际学术会议邀请报告,担任若干国际会议TPC member 以及session chair。任中国最高综合类学术期刊Science Bulletin(科学通报英文版)副主编以及《Journal of Semicondictor》编辑。作为项目负责人,承担超过7000万人民币国家/省/市/以及横向科研项目(包括新加坡主持项目)。

  代表南科大与第三代半导体产业技术创新战略联盟共同成功筹建深圳第三代半导体研究院,并担任副院长。与清华大学共同牵头成功筹建广东省未来网络高端器件制造业创新中心,成功筹建南科大深港微电子学院(被教育部批准为国家示范性微电子学院)以及未来通信集成电路教育部工程研究中心。牵头组建深圳市第三代半导体重点实验室、广东省GaN器件工程技术中心,并成立团队。广东省科技创新领军人才,享受深圳市政府特殊津贴,英国工程技术学会会士(Fellow of IET)。

  孙钱,中国科技大学材料物理和计算机科学与技术双学士(郭沫若校长奖获得者)、美国耶鲁大学博士(耶鲁工学院Becton奖获得者),国家技术发明一等奖获得者,国家优秀青年基金获得者,首批国家特聘青年专家,江苏省“双创人才”,中国电子学会优秀科技工作者。现任中科院苏州纳米所研究员、博导、器件部副主任。长期致力于硅基III族氮化物半导体材料生长与光电子及功率电子器件制备研究。通过与企业的产学研实质性合作,带领团队研发出硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片技术,并在全球率先产业化,年销售逾4亿元。2016年成功研制出国际上首支硅衬底GaN基激光器,入选中国光学重要成果和科技部高新技术领域创新进展报告。近5年来主持承担了国家重点研发计划课题、863计划课题、中科院前沿科学重点研究项目、中科院科技服务网络STS计划区域重点项目、江苏省重点研发计划项目等。迄今为止,在Nature

  Photonics、Light: Science & Applications等国际学术期刊上发表了100余篇学术论文,是30余项美国和中国发明专利的发明人。应邀在国际氮化物半导体学术会议和产业论坛上作特邀报告40余次。现兼任中国物理学会发光分会第十四届委员会委员、中国激光杂志社青年编辑委员会委员、《半导体学报》第十二届编辑委员会委员、《发光学报》第一届青年编辑委员会委员、SEMI中国功率及化合物半导体委员会委员。yb亚博网站

  研究员,博导。航天科技集团公司空间供配电技术学科带头人,中国空间技术研究院宇航电源产品首席专家,中国宇航学会空间能源专业委员会委员。

  多年来,一直从事空间电源技术的研究工作,提出并开展空间大功率电源的高可靠电路拓扑、低热阻封装和可靠性等技术研究工作,解决了宇航电源的热设计、电磁兼容性、高功率密度和加速寿命评估等问题。研究团队在基于新型功率半导体器件技术的基础上,全面开展高可靠封装技术、高效率电源变换技术、智能配电技术、可靠性分析和评价等技术,建立宇航电源封装及装联生产线,研制的空间电源产品广泛地应用于航天器型号。发表论文五十多篇,发明专利10项。

  周琦,现任电子科技大学电子科学与工程学院、电子薄膜与集成器件国家重点实验室教授、博士生导师。他分别于2004年、2007年毕业于西安电子科技大学电子工程学院,获工学学士学位、工学硕士学位;2012年毕业于香港科技大学电子与计算机工程系,获博士学位。他的研究兴趣包括围绕III-Nitride化合物半导体开发新型电力电子器件,研究器件中的电荷输运与器件特性之间的相互作用、硅基GaN单片功率集成技术等。他培养和指导了20余名博士和硕士研究生,其中大部分就职于华为、英诺赛科、能讯高能、海威华芯等企业从事GaN半导体技术的研发。

  主要从事GaN、Ga2O3等宽禁带半导体功率电子器件的结构、工艺及可靠性物理研究,在国际主流期刊和会议上发表学术论文50余篇,承担了自然基金、重点研发等多项课题。

  于1985年加入丰田汽车公司,1987年作为最初成员之一参与了TMC的内部半导体项目。负责功率MOSFET,BiCDMOS,IGBT和SiC MOSFET的器件开发。为丰田Prius混合动力汽车开发了所有IGBT器件。目前担任功率半导体顾问,并且是PDPlus LLC的总裁。他是日本电气工程师学会(IEEJ),日本汽车工程师学会(JSAE)和IEEE的成员。

  1997年本科毕业于北京大学物理系。2003年获美国匹兹堡大学物理专业博士学位,读博期间主要从事宽禁带半导体材料及器件研究。2004年至今在中国电子科技集团公司第五十五研究所工作,现任宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任。参加工作以来一直致力于SiC器件的研发,在国内首先实现了击穿电压超过10kV的SiC肖特基二极管和SiC PiN二极管,在高压SiC JFET和SiC MOSFET技术开发方面也取得了重要成果。负责承担和完成多项国家科技重大专项、高技术研究发展计划等重大科研项目,申请发明专利17项,其中授权8项,曾获国防科技进步一等奖一项。

  主要从事柔性输电、高压直流输电和电力系统继电保护等领域的研发工作,是中国大功率电力电子技术的主要开创者之一。曾先后负责或参与完成我国首套输电系统静止无功补偿器、首套可控串联补偿装置、世界首套超高压故障电流限制器、世界首套特高压串补、世界首套移动式融冰兼SVC装置、世界首套750kV/500kV可控并联电抗器、我国首套自主知识产权的特高压直流换流阀、我国首套柔性直流输电系统、世界首个混合式高压直流断路器工程、我国首个大功率电力电子实验室等一系列首台/首套重大电力装备的开发和工程示范应用。

  肖国伟博士1968年出生,早期于西安交通大学获工学本科、硕士学位,2002年1月于香港科技大学获博士学位,2006年在广州南沙创立广东晶科电子股份有限公司,担任董事长兼总裁。

  肖国伟博士在半导体先进封装方面拥有17年技术积累,带领团队攻克多项技术瓶颈,获得专利167项。肖国伟博士获得香港首批“优秀人才输入计划”及广州市首批“百人计划”创新人才等称号。获得香港工商业界“科技成就奖”、广东省科学技术二等奖,广州市政协香港委员,国家半导体照明产业与研发联盟副理事长、广东省照明学会理事长。

  2010~2015年期间博士就读于浙江大学电气工程学院,2016~2019年期间在美国加州大学洛杉矶分校做博士后。一直致力于碳化硅(SiC)电力电子器件的相关研究,其中包括SiC二极管和MOSFET器件的物理机制、结构设计、工艺技术、芯片研制、器件测试与失效分析、性能与可靠性优化等方向,并取得了一系列研究成果。在器件领域国际知名期刊与会议上共发表36篇论文,其中SCI论文21篇,获得了2项美国专利,并获得2017届电力电子领域最权威的国际学术会议(APEC)的杰出报告奖,担任2018年ECCE国际学术会议的分会场主席。2020年3月双聘至浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院,并入选2020年浙江大学杭州国际科创中心青年人才卓越计划。

  2010年3月博士毕业于中国科学院半导体研究所,历任日本电力中央研究所(CRIEPI)特任研究员,日本国立材料研究机构(NIMS)SPring-8 BL15XU博士后研究员。主要研究方向围绕宽禁带半导体材料生长表征及应用。曾参与了中国国家863项目、日本科学振兴机构(JSTA:基于元素战略的智能材料创新)及日本科学技术厅和日本新能源及产业技术综合开发机构(NEDO:下一代电力电子/SiC功率器件)的研究项目,在APL、JAP、PRB等国际半导体领域着名期刊共发表SCI学术论文40余篇,其中第一作者论文16篇,申请国家发明专利3项。日本国立材料研究机构(NIMS)大会邀请报告一次,SiC领域国际顶级会议(ICSCRM 2017及ECSCRM2018)口头报告2次,并被大会选为亮点。

  2009年获得武汉大学电气工程与自动化学士学位,2014年获得浙江大学电气工程博士学位,2014年加入重庆大学电气工程学院,2017年聘任为副教授,2018年聘任为博士生导师,2018年至2019年,在新加坡南洋理工大学从事博士后研究。目前的研究领域包括:新型功率器件封装集成与系统应用、新能源并网变流器运行控制与可靠性等。目前主持国家重点研发计划子课题2项、国家自然科学基金1项、重庆市自然科学基金1项,已主持完成横向和其他各类项目8项。出版学术专着2部,发表SCI/EI期刊论文100余篇(其中IEEE/IET会刊20余篇),入选ESI高被引论文1篇,入选“中国精品科技期刊顶尖论文(F5000)”1篇,获评中国电机工程学会优秀论文4篇,被引2000余次,H影响因子26,授权发明专利10项,曾获浙江大学优秀博士学位论文奖、GE基金会科技创新奖等奖励多项。

  分别于2011年获华北电力大学电气工程与自动化学士和博士学位,2019年被聘为副教授,2020入选华北电力大学青年骨干培育计划,目前的主要研究领域:高压大功率电力电子器件封装绝缘、规模化芯片并联均流等。目前主持国家自然科学基金项目2项,作为主研人参与国家自然科学基金重点项目2项、973计划课题1项、国家重点研发计划课题2项。发表SCI/EI收录论文60余篇,其中以第一或通信作者发表和录用SCI论文27篇,获中国电力科学技术进步奖一等奖1项(12/15)、电工技术学会技术发明奖一等奖1项(8/10);现任中国电机工程学会电工理论与新技术专业委员会第八届委员会秘书长、全国电磁兼容标准化技术委员会第三届大功率暂态现象分技术委员会委员等。

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